Datasheet > 存储 > DRAM> EDE2508ABSE-GE-E

EDE2508ABSE-GE-E

更新时间： 2024-09-17 22:30:39

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
66页	679K
描述
256M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM

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EDE2508ABSE-GE-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32	针数：	60
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	11.5 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.85 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.12 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.006 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.85 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

EDE2508ABSE-GE-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

256M bits DDR2 SDRAM

for HYPER DIMM

EDE2508ABSE-GE (32M words × 8 bits)

EDE2516ABSE-GE (16M words × 16 bits)

Features

Description

The EDE2508ABSE is a 256M bits DDR2 SDRAM

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.85V ± 0.1V

organized as 8,388,608 words × 8 bits × 4 banks.

It is packaged in 60-ball FBGA (µBGA^) package.

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

• Bi-directional, differential data strobe (DQS and

/DQS) is transmitted/received with data, to be used in

capturing data at the receiver

The EDE2516ABSE is a 256M bits DDR2 SDRAM

organized as 4,194,304 words × 16 bits × 4 banks.

It is packaged in 84-ball FBGA (µBGA) package.

• DQS is edge aligned with data for READs: center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge: data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Four internal banks for concurrent operation

• Data mask (DM) for write data

• Burst lengths: 4, 8

• /CAS Latency (CL): 5

• Auto precharge operation for each burst access

• Auto refresh and self refresh modes

• Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• SSTL_18 compatible I/O

• Posted CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation.

• FBGA (µBGA) package with lead free solder

(Sn-Ag-Cu)

Document No. E0657E20 (Ver. 2.0)

Date Published May 2005 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2005

12 3 4 5 6 7...66

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与EDE2508ABSE-GE-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDE2508ACBG-8E-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
EDE2508ACSE	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR2 SDRAM
EDE2508ACSE-5C-E	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR2 SDRAM
EDE2508ACSE-6E-E	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR2 SDRAM
EDE2508ACSE-8E-E	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR2 SDRAM
EDE2508AEBG	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR2 SDRAM
EDE2508AEBG-6E-E	ELPIDA	获取价格	256M bits DDR2 SDRAM
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