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EBJ41HE4BDFD-AE-F

更新时间： 2024-11-21 12:20:55

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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4GB Registered DDR3 SDRAM DIMM

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EBJ41HE4BDFD-AE-F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.3 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N240
JESD-609代码：	e4	长度：	133.35 mm
内存密度：	77309411328 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	240
字数：	1073741824 words	字数代码：	1000000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	1GX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM240,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	8.5 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	1.24 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	4.66 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EBJ41HE4BDFD-AE-F 数据手册

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DATA SHEET

4GB Registered DDR3 SDRAM DIMM

EBJ41HE4BDFD

EBJ41HE4BDFM

EBJ41HE4BDFP

(512M words × 72 bits, 2 Ranks)

Specifications

Features

• Density: 4GB

• Organization

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

512M words × 72 bits, 2 ranks

prefetch pipelined architecture

• Mounting 36 pieces of 1G bits DDR3 SDRAM sealed

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

in FBGA

• Package: 240-pin socket type dual in line memory

module (DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

PCB height: 30.5mm (max.)

Lead pitch: 1.0mm

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD = 1.5V ± 0.075V

• Data rate: 1333Mbps/1066Mbps (max.)

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Interface: SSTL_15

• On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

Synchronous ODT

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• /CAS Latency (CL): 6, 7, 8, 9

Dynamic ODT

• /CAS write latency (CWL): 5, 6, 7

Asynchronous ODT

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Multi Purpose Register (MPR) for temperature read

out

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• /RESET pin for Power-up sequence and reset

function

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

• SRT range:

Normal/extended

• Programmable Output driver impedance control

• 1 piece of registering clock driver and 1 piece of

serial EEPROM (256 bytes EEPROM) for Presence

Detect (PD)

• Class B temperature sensor functionality with

EEPROM

Note: Warranty void if removed DIMM heat

spreader.

Document No. E1580E30 (Ver. 3.0)

Date Published January 2010 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2009-2010

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