Datasheet > EBJ41RE4BAFA-DJ-E

EBJ41RE4BAFA-DJ-E

更新时间： 2024-11-21 19:01:07

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	228K
描述
DDR DRAM Module, 512MX72, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EBJ41RE4BAFA-DJ-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.71	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.255 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N240	JESD-609代码：	e4
内存密度：	38654705664 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	240
字数：	536870912 words	字数代码：	512000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	512MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM240,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	子类别：	Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EBJ41RE4BAFA-DJ-E 数据手册

浏览型号EBJ41RE4BAFA-DJ-E的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号EBJ41RE4BAFA-DJ-E的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号EBJ41RE4BAFA-DJ-E的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号EBJ41RE4BAFA-DJ-E的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号EBJ41RE4BAFA-DJ-E的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号EBJ41RE4BAFA-DJ-E的Datasheet PDF文件第7页

PRELIMINARY DATA SHEET

4GB Registered DDR3 SDRAM DIMM

EBJ41RE4BAFA (512M words × 72 bits, 2 Ranks)

Specifications

Features

• Density: 4GB

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

512M words × 72 bits, 2 ranks

• Mounting 36 pieces of 1G bits DDR3 SDRAM sealed

in FBGA

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• Package: 240-pin socket type dual in line memory

module (DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

PCB height: 30.5mm (max.)

Lead pitch: 1.0mm

• Differential clock inputs (CK and /CK)

Lead-free (RoHS compliant)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Power supply: VDD = 1.5V ± 0.075V

• Data rate: 1333Mbps/1066Mbps/800Mbps (max.)

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Interface: SSTL_15

• On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

Synchronous ODT

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• /CAS Latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9

• /CAS write latency (CWL): 5, 6, 7

Dynamic ODT

Asynchronous ODT

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Multi Purpose Register (MPR) for temperature read

out

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• /RESET pin for Power-up sequence and reset

function

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

• SRT range:

Normal/extended

Auto/manual self-refresh

• Programmable Output driver impedance control

• 1 piece of registering clock driver and 1 piece of

serial EEPROM (256 bytes EEPROM) for Presence

Detect (PD)

• Class B temperature sensor functionality with

EEPROM

Document No. E1250E20 (Ver. 2.0)

Date Published March 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2007-2008

12 3 4 5 6 7...23

中文翻译

下载PDF

与EBJ41RE4BAFA-DJ-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EBJ41UF8BAS0	ELPIDA	获取价格	4GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ41UF8BAS0-AE-F	ELPIDA	获取价格	4GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ41UF8BAS0-DJ-F	ELPIDA	获取价格	4GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ41UF8BAS0-GN-F	ELPIDA	获取价格	4GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ41UF8BCF0	ELPIDA	获取价格	4GB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM
EBJ41UF8BCF0-DJ-F	ELPIDA	获取价格	4GB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM
EBJ41UF8BCF0-GN-F	ELPIDA	获取价格	4GB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM
EBJ41UF8BCS0	ELPIDA	获取价格	4GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ41UF8BCS0-DJ-F	ELPIDA	获取价格	4GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ41UF8BCS0-GN-F	ELPIDA	获取价格	4GB DDR3 SDRAM SO-DIMM

与EBJ41RE4BAFA-DJ-E相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EBJ41RE4BAFA-DJ-E

EBJ41RE4BAFA-DJ-E 技术参数

EBJ41RE4BAFA-DJ-E 数据手册

与EBJ41RE4BAFA-DJ-E相关器件

与EBJ41RE4BAFA-DJ-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EBJ41RE4BAFA-DJ-E

EBJ41RE4BAFA-DJ-E 技术参数

EBJ41RE4BAFA-DJ-E 数据手册

与EBJ41RE4BAFA-DJ-E相关器件

与EBJ41RE4BAFA-DJ-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？