是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIMM | 包装说明: | DIMM, DIMM184 |
针数: | 184 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4294967296 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 184 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM184 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 电源: | 2.6 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.16 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 2.76 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.6 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EBD52UC8AMFA-5B-E | ELPIDA |
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暂无描述 | |
EBD52UC8AMFA-6B | ELPIDA |
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512MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM | |
EBD52UD6ADSA | ELPIDA |
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512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks) | |
EBD52UD6ADSA-6B | ELPIDA |
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512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks) | |
EBD52UD6ADSA-6B-E | ELPIDA |
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512MB DDR SDRAM SO-DIMM (64M words x 64 bits, 2 Ranks) | |
EBD52UD6ADSA-7A | ELPIDA |
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512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks) | |
EBD52UD6ADSA-7A-E | ELPIDA |
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512MB DDR SDRAM SO-DIMM (64M words x 64 bits, 2 Ranks) | |
EBD52UD6ADSA-7B | ELPIDA |
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512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks) | |
EBD52UD6ADSA-7B-E | ELPIDA |
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512MB DDR SDRAM SO-DIMM (64M words x 64 bits, 2 Ranks) | |
EBD52UD6ADSA-E | ELPIDA |
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512MB DDR SDRAM SO-DIMM (64M words x 64 bits, 2 Ranks) |