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E35A23VS

更新时间： 2024-09-08 22:30:15
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管电机LTE
页数 文件大小 规格书
1页 74K
描述
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE)

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E35A23VS 技术参数

生命周期：Active包装说明：MR, 1 PIN
针数：1Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-XSSO-X1最大非重复峰值正向电流：450 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：35 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：17 V表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

E35A23VS 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
E35A23VS, E35A23VR  
STACK SILICON DIFFUSED DIODE  
TECHNICAL DATA  
ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.  
A3  
A2  
A1  
D3  
FEATURES  
ᴌAverage Forward Current : IO=35A.  
ᴌZener Voltage : 23V(Typ.)  
POLARITY  
E35A23VS E35A23VR  
(+ Type) (- Type)  
E
F
G
DIM MILLIMETERS DIM MILLIMETERS  
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
_
_
+
5.0 0.3  
A1  
A2  
A3  
B1  
B2  
C1  
C2  
D1  
10.0+0.3  
D2  
D3  
E
F
G
_
_
+
+
13.5 0.3  
4.5 0.3  
CHARACTERISTIC  
Average Forward Current  
Peak 1 Cycle Surge Current  
SYMBOL  
IF(AV)  
RATING  
35  
UNIT  
A
_
_
+
+
24.0 0.5  
1.9 0.3  
_
_
+
+
8.5 0.3  
9.0 0.3  
_
_
+
+
10.0 0.3  
1.0 0.3  
_
_
+
+
2.0 0.3  
H
4.4 0.5  
IFSM  
_
_
450 (50Hz)  
A
+
+
5.0 0.3  
T
0.6 0.3  
_
+
2.5 0.3  
Peak Reverse Surge Current  
(IRSM/2=10ms)  
IRSM  
70  
A
VRSM  
VRM  
Tj  
MR  
Peak Revese Over Voltage  
Peak Revese Voltage  
70  
V
V
17  
Junction Temperature  
-40ᴕ200  
-40ᴕ150  
ᴱ
ᴱ
Tstg  
Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Peak Forward Voltage  
SYMBOL  
VFM  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1.05  
26  
UNIT  
V
IFM=100A  
-
20  
-
-
23  
-
VZ  
IZ=10mA  
Zener Voltage  
V
IRRM  
VR=VRM  
Repetitive Peak Reverse Curren  
Transient Thermal Resistance  
10  
ỌA  
mV  
IRRM  
IFM=100A, Pw=100mS  
-
-
90  
Reverse Leakage Current Under  
High Temperature  
HIR  
Trr  
Ta=150ᴱ, VR=VRM  
-
-
-
-
2.5  
5.0  
mA  
IF=100mA, -IR=100mA  
90% Recovery Point  
Reverse recovery Time  
ỌS  
Temperature Resistance  
Thermal runway Temperature  
Temperature Coefficient  
Rth  
DC total junction to case  
VR=17V, IR=5mA  
IR=10mA  
-
200  
-
-
-
1.0  
ᴱ/W  
ᴱ
Trwy  
-
-
ề
T
18  
mV/ᴱ  
2001. 2. 8  
Revision No : 0  
1/1  
1

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