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E35A2CR PDF预览

E35A2CR

更新时间： 2024-11-22 22:30:15
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管电机LTE
页数 文件大小 规格书
2页 390K
描述
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE)

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E35A2CR 技术参数

生命周期：Active包装说明：MR, 1 PIN
针数：1Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.72Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-XSSO-X1最大非重复峰值正向电流：450 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：35 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：15 µs
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

E35A2CR 数据手册

 浏览型号E35A2CR的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
E35A2CS, E35A2CR  
STACK SILICON DIFFUSED DIODE  
TECHNICAL DATA  
ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.  
A3  
A2  
A1  
D3  
FEATURES  
Average Forward Current : IO=35A.  
Repetitive Peak Reverse Voltage : VRRM=200V.  
POLARITY  
E35A2CS (+ Type)  
E35A2CR (- Type)  
E
F
G
DIM MILLIMETERS DIM MILLIMETERS  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
_
10.0+0.3  
_
+
A1  
A2  
A3  
B1  
B2  
C1  
C2  
D1  
D2  
D3  
E
5.0 0.3  
_
_
+
+
13.5 0.3  
4.5 0.3  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
RATING  
200  
UNIT  
V
_
_
+
24.0 0.5  
_
+
1.9 0.3  
_
+
8.5 0.3  
_
+
9.0 0.3  
_
F
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Forward Current  
Peak 1 Cycle Surge Current  
Junction Temperature  
+
10.0 0.3  
_
+
1.0 0.3  
_
G
+
2.0 0.3  
+
4.4 0.5  
H
35  
A
_
+
5.0 0.3  
_
+
0.6 0.3  
T
_
2.5+0.3  
450 (50Hz)  
-40 150  
-40 150  
A
Tj  
MR  
Tstg  
Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Peak Forward Voltage  
SYMBOL  
VFM  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1.05  
50  
UNIT  
V
IFM=100A  
-
-
-
-
-
-
-
-
IRRM  
trr  
VRRM=200V  
Repetitive Peak Reverse Current  
Reverse Recovery Time  
A
IF=0.1A, IR=0.1A  
DC total junction to case  
15  
S
Rth  
Temperature Resistance  
1.0  
/W  
2002. 10. 9  
Revision No : 2  
1/2  
12

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