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E28F200B5-T60 PDF预览

E28F200B5-T60

更新时间： 2024-02-08 11:03:09
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
38页 471K
描述
256KX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

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E28F200B5-T60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.46最长访问时间：70 ns
其他特性：CAN BE OPERATED IN 4.75V TO 5.25V; CAN BE CONFG AS 128K X 16; TOP BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,96K,128K最大待机电流：0.000008 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：MOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

E28F200B5-T60 数据手册

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PRODUCT PREVIEW  
E
SMART 5 BOOT BLOCK  
FLASH MEMORY FAMILY  
2, 4, 8 MBIT  
28F200B5, 28F400B5, 28F800B5  
SmartVoltage Technology  
Extended Block Erase Cycling  
100,000 Cycles at Commercial Temp  
10,000 Cycles at Extended Temp  
Smart 5 Flash: 5V Reads,  
5V or 12V Writes  
Increased Programming Throughput  
at 12V VPP  
Hardware Data Protection Feature  
Absolute Hardware-Protection for  
Boot Block  
Very High-Performance Read  
2-, 4-Mbit: 60 ns Access Time  
8-Mbit: 70 ns Access Time  
Write Lockout during Power  
Transitions  
x8/x16-Configurable Input/Output Bus  
Automated Word/Byte Program and  
Block Erase  
Low Power Consumption  
Max 60 mA Read Current at 5V  
Auto Power Savings: <1 mA Typical  
Standby Current  
Command User Interface  
Status Registers  
Erase Suspend Capability  
SRAM-Compatible Write Interface  
Optimized Array Blocking Architecture  
16-KB Protected Boot Block  
Reset/Deep Power-Down Input  
Provides Low-Power Mode and  
Reset for Boot Operations  
Two 8-KB Parameter Blocks  
96-KB and 128-KB Main Blocks  
Top or Bottom Boot Locations  
Pinout Compatible 2, 4, and 8 Mbit  
Extended Temperature Operation  
ETOX™ Flash Technology  
–40°C to +85°C  
0.6 µ ETOX IV Initial Production  
0.4 µ ETOX V Later Production  
Industry-Standard Packaging  
44-Lead PSOP, 48-Lead TSOP  
Intel’s word-wide Smart 5 boot block flash memory family provides 2-, 4-, and 8-Mbit memories featuring  
high-density, low-cost, nonvolatile, read/write storage solutions for a wide range of applications. Their  
asymmetrically-blocked architecture, flexible voltage, and extended cycling provide highly flexible  
components suitable for embedded code execution applications, such as networking infrastructure and office  
automation.  
Based on Intel’s boot block architecture, the word-wide Smart 5 boot block memory family enables quick and  
easy upgrades for designs that demand state-of-the-art technology. This family of products comes in  
industry-standard packages: the 48-lead TSOP, ideal for board-constrained applications, and the rugged,  
easy to handle 44-lead PSOP.  
December 1996  
Order Number: 290599-003  
1234567...38

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
E28F200B5T80 INTEL

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 		SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 2, 4, 8 MBIT
E28F200B5-T80 ROCHESTER

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 		256KX8 FLASH 5V PROM, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
E28F200B5-T80 INTEL

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