5秒后页面跳转
E28F008SC-L150 PDF预览

E28F008SC-L150

更新时间: 2024-02-12 20:06:09
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
44页 1398K
描述
Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40

E28F008SC-L150 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:10 X 20 MM, TSOP-40针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.78
Is Samacsys:N最长访问时间:90 ns
其他特性:USER-SELECTABLE 5V OR 12V VPPJESD-30 代码:R-PDSO-G40
长度:18.4 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:40
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:10 mm
Base Number Matches:1

E28F008SC-L150 数据手册

 浏览型号E28F008SC-L150的Datasheet PDF文件第2页浏览型号E28F008SC-L150的Datasheet PDF文件第3页浏览型号E28F008SC-L150的Datasheet PDF文件第4页浏览型号E28F008SC-L150的Datasheet PDF文件第5页浏览型号E28F008SC-L150的Datasheet PDF文件第6页浏览型号E28F008SC-L150的Datasheet PDF文件第7页 

与E28F008SC-L150相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
E28F010 ETC

获取价格

E28F010
E28F010-100V05 INTEL

获取价格

Flash, 128KX8, 100ns, PDSO32
E28F010-120 INTEL

获取价格

1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
E28F010-150 INTEL

获取价格

1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
E28F010-200 INTEL

获取价格

Flash, 128KX8, 200ns, PDSO32, 0.310 X 0.720 INCH, TSOP-32
E28F010-65 INTEL

获取价格

1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
E28F010-90 INTEL

获取价格

1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
E28F016S3-120 INTEL

获取价格

Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40
E28F016S5-100 INTEL

获取价格

Flash, 2MX8, 100ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40
E28F016S5-120 INTEL

获取价格

BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT