Datasheet > 存储 > 闪存> E28F016SV-075

E28F016SV-075

更新时间： 2024-01-10 17:05:53

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
63页	633K
描述
16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY

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E28F016SV-075 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP56,.8,20
针数：	56	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.85	最长访问时间：	75 ns
其他特性：	ALSO CONFIGURABLE AS 1M X 16	备用内存宽度：	8
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	32
端子数量：	56	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	128/256 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3/5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

E28F016SV-075 数据手册

28F016SV

16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8)

FlashFile™ MEMORY

Includes Commercial and Extended Temperature Specifications

SmartVoltage Technology

Backwards-Compatible with 28F016SA,

28F008SA Command Set

User-Selectable 3.3V or 5V V_CC

User-Selectable 5V or 12V V_PP

Revolutionary Architecture

Multiple Command Execution

Program during Erase

Command Super-Set of the Intel

28F008SA

65 ns Access Time

1 Million Erase Cycles per Block

30.8 MB/sec Burst Write Transfer Rate

Page Buffer Program

0.48 MB/sec Sustainable Write Transfer

Rate

2 µA Typical Deep Power-Down

32 Independently Lockable Blocks

Configurable x8 or x16 Operation

56-Lead TSOP and SSOP Type I

Packages

State-of-the-Art 0.6 µm ETOX™ IV Flash

Technology

Intel’s 28F016SV 16-Mbit FlashFile™ memory is a revolutionary architecture which is the ideal choice for

designing embedded direct-execute code and mass storage data/file flash memory systems. With innovative

capabilities, low-power operation, user-selectable V_PPvoltage and high read/program performance, the

28F016SV enables the design of truly mobile, high-performance personal computing and communications

products.

The 28F016SV is the highest density, highest performance nonvolatile read/program solution for solid-state

storage applications. Its symmetrically-blocked architecture (100% compatible with the 28F008SA 8-Mbit and

28F016SA 16-Mbit FlashFile memories), extended cycling, flexible V_CCand V_PPvoltage (SmartVoltage

technology), fast program and read performance and selective block locking, provide a highly-flexible memory

component suitable for Resident Flash Arrays, high-density memory cards and PCMCIA-ATA flash drives.

The 28F016SV’s dual read voltage enables the design of memory cards which can be read/written in 3.3V

and 5V systems interchangeably. Its x8/x16 architecture allows optimization of the memory-to-processor

interface. The flexible block locking option enables bundling of executable application software in a Resident

Flash Array or memory card. The 28F016SV is manufactured on Intel’s 0.6 µm ETOX IV process technology.

July 1997

Order Number: 290528-007

7/11/97 11:03 AM 29052807.DOC

12 3 4 5 6 7...63

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
E28F016SV-080	INTEL	获取价格	16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY
E28F016SV-120	INTEL	获取价格	16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY
E28F016SV65	INTEL	获取价格	Flash, 2MX8, 65ns, PDSO56, TSOP1-56
E28F016XD-85	INTEL	获取价格	16-MBIT (1 MBIT x 16) DRAM-INTERFACE FLASH MEMORY
E28F016XD-95	INTEL	获取价格	Flash, 1MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56
E28F016XS15	INTEL	获取价格	16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
E28F016XS-15	INTEL	获取价格	16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
E28F016XS20	INTEL	获取价格	16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
E28F016XS-20	INTEL	获取价格	16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
E28F016XS-25	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX8, 35ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP1-56

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