5秒后页面跳转
E28F010-100V05 PDF预览

E28F010-100V05

更新时间: 2024-01-31 11:20:11
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 1064K
描述
Flash, 128KX8, 100ns, PDSO32

E28F010-100V05 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
命令用户界面:YES数据轮询:NO
耐久性:10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:NO类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1

E28F010-100V05 数据手册

 浏览型号E28F010-100V05的Datasheet PDF文件第2页浏览型号E28F010-100V05的Datasheet PDF文件第3页浏览型号E28F010-100V05的Datasheet PDF文件第4页浏览型号E28F010-100V05的Datasheet PDF文件第5页浏览型号E28F010-100V05的Datasheet PDF文件第6页浏览型号E28F010-100V05的Datasheet PDF文件第7页 

与E28F010-100V05相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
E28F010-120 INTEL

获取价格

1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
E28F010-150 INTEL

获取价格

1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
E28F010-200 INTEL

获取价格

Flash, 128KX8, 200ns, PDSO32, 0.310 X 0.720 INCH, TSOP-32
E28F010-65 INTEL

获取价格

1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
E28F010-90 INTEL

获取价格

1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
E28F016S3-120 INTEL

获取价格

Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40
E28F016S5-100 INTEL

获取价格

Flash, 2MX8, 100ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40
E28F016S5-120 INTEL

获取价格

BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT
E28F016S5-85 INTEL

获取价格

Flash, 2MX8, 85ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40
E28F016S5-95 INTEL

获取价格

BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT