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E28F016SA-150

更新时间： 2024-02-08 17:41:57

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
55页	823K
描述
28F016SA 16-MBIT (1 MBIT X 16, 2 MBIT X 8)FlashFile MEMORY

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E28F016SA-150 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20
针数：	56	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	ALSO CAN BE CONFIGURED AS 1M X 16
备用内存宽度：	8	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	56
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP56,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	128/256 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	编程电压：	12 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

E28F016SA-150 数据手册

28F016SA 16-MBIT

(1 MBIT X 16, 2 MBIT X 8)

FlashFile™ MEMORY

Includes Commercial and Extended Temperature Specifications

User-Selectable 3.3V or 5V V_CC

Revolutionary Architecture

Pipelined Command Execution

Program during Erase

Command Superset of Intel

28F008SA

User-Configurable x8 or x16 Operation

70 ns Maximum Access Time

28.6 MB/sec Burst Write Transfer Rate

1 mA Typical I_CCin Static Mode

1 µA Typical Deep Power-Down

32 Independently Lockable Blocks

1 Million Typical Erase Cycles per

Block

56-Lead, 1.2 mm x 14 mm x 20 mm

TSOP Package

State-of-the-Art 0.6 µm ETOX™ IV Flash

Technology

56-Lead, 1.8 mm x 16 mm x 23.7 mm

SSOP Package

Intel’s 28F016SA 16-Mbit FlashFile™ memory is a revolutionary architecture which is the ideal choice for

designing embedded direct-execute code and mass storage data/file flash memory systems. With innovative

capabilities, low-power, extended temperature operation and high read/program performance, the 28F016SA

enables the design of truly mobile, high-performance communications and computing products.

The 28F016SA is the highest density, highest performance nonvolatile read/program solution for solid-state

storage applications. Its symmetrically-blocked architecture (100% compatible with the 28F008SA 8-Mbit

FlashFile memory), extended cycling, extended temperature operation, flexible V_CC, fast program and read

performance and selective block locking provide highly flexible memory components suitable for Resident

Flash Arrays, high-density memory cards and PCMCIA-ATA flash drives. The 28F016SA dual read voltage

enables the design of memory cards which can be interchangeably read/written in 3.3V and 5.0V systems. Its

x8/x16 architecture allows optimization of the memory-to-processor interface. Its high read performance and

flexible block locking enable both storage and execution of operating systems and application software.

Manufactured on Intel’s 0.6 µm ETOX IV process technology, the 28F016SA is the most cost-effective,

highest density monolithic 3.3V FlashFile memory.

November 1996

Order Number: 290489-004

12 3 4 5 6 7...55

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