Datasheet > 存储 > 闪存> E28F016XS-15

E28F016XS-15

更新时间： 2024-01-14 06:33:16

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
54页	1262K
描述
16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY

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E28F016XS-15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP56,.8,20
针数：	56	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	20 ns	其他特性：	ALSO CAN BE CONFIGURED AS 1M X 16
备用内存宽度：	8	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	16	端子数量：	56
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3/5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.175 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

E28F016XS-15 数据手册

28F016XS

16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8)

SYNCHRONOUS FLASH MEMORY

Effective Zero Wait-State Performance

up to 33 MHz

Synchronous Pipelined Reads

Backwards-Compatible with 28F008SA

Command-Set

2 µA Typical Deep Power-Down

SmartVoltage Technology

1 mA Typical Active I_CCCurrent in

Static Mode

User-Selectable 3.3V or 5V V_CC

User-Selectable 5V or 12V V_PP

16 Separately-Erasable/Lockable

128-Kbyte Blocks

0.33 MB/sec Write Transfer Rate

Configurable x8 or x16 Operation

1 Million Erase Cycles per Block

56-Lead TSOP and SSOP Type I

Package

State-of-the-Art 0.6 µm ETOX™ IV Flash

Technology

Intel’s 28F016XS 16-Mbit flash memory is a revolutionary architecture which is the ideal choice for designing

truly revolutionary high-performance products. Combining very high read performance with the intrinsic

nonvolatility of flash memory, the 28F016XS eliminates the traditional redundant memory paradigm of

shadowing code from a slow nonvolatile storage source to a faster execution memory, such as DRAM, for

improved system performance. The innovative capabilities of the 28F016XS enable the design of direct-

execute code and mass storage data/file flash memory systems.

The 28F016XS is the highest performance high-density nonvolatile read/program flash memory solution

available today. Its synchronous pipelined read interface, flexible V_CCand V_PPvoltages, extended cycling,

fast program and read performance, symmetrically-blocked architecture, and selective block locking provide a

highly flexible memory component suitable for resident flash component arrays on the system board or

SIMMs. The synchronous pipelined interface and x8/x16 architecture of the 28F016XS allow easy interface

with minimal glue logic to a wide range of processors/buses, providing effective zero wait-state read

performance up to 33 MHz. The 28F016XS’s dual read voltage allows the same component to operate at

either 3.3V or 5.0V V_CC. Programming voltage at 5V V_PPminimizes external circuitry in minimal-chip, space

critical designs, while the 12.0V V_PPoption maximizes program/erase performance. Its high read performance

combined with flexible block locking enable both storage and execution of operating systems/application

software and fast access to large data tables. The 28F016XS is manufactured on Intel’s 0.6 µm ETOX IV

process technology.

November 1996

Order Number: 290532-004

12 3 4 5 6 7...54

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与E28F016XS-15相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
E28F016XS20	INTEL	获取价格	16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
E28F016XS-20	INTEL	获取价格	16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
E28F016XS-25	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX8, 35ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP1-56
E28F020	ETC	获取价格	E28F020
E28F020-120	INTEL	获取价格	28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
E28F020-150	INTEL	获取价格	28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
E28F020-200	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
E28F020-70	INTEL	获取价格	Flash, 256KX8, 80ns, PDSO32, 0.310 X 0.720 INCH, TSOP-32
E28F020-80V05	INTEL	获取价格	Flash, 256KX8, 80ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32
E28F020-90	INTEL	获取价格	28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY

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