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E28F016SC-120

更新时间： 2024-01-21 08:44:58

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英特尔 - INTEL		/
页数	文件大小	规格书
42页	723K
描述
BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile⑩ MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT

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E28F016SC-120 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP40,.8,20
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.85	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	ALSO CAN BE OPERATED IN 4.5V TO 5.5V	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	40
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP40,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/5 V	编程电压：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

E28F016SC-120 数据手册

PRELIMINARY

BYTE-WIDE

SmartVoltage FlashFile™ MEMORY FAMILY

4, 8, AND 16 MBIT

28F004SC, 28F008SC, 28F016SC

Includes Commercial and Extended Temperature Specifications

SmartVoltage Technology

High-Density 64-Kbyte Symmetrical

Erase Block Architecture

4 Mbit: Eight Blocks

2.7 V (Read-Only), 3.3 V or 5 V V_CC

and 3.3 V, 5 V, or 12 V V_PP

8 Mbit: Sixteen Blocks

16 Mbit: Thirty-Two Blocks

High-Performance

4, 8 Mbit 85 ns Read Access Time

16 Mbit 95 ns Read Access Time

Extended Cycling Capability

100,000 Block Erase Cycles

Enhanced Data Protection Features

Absolute Protection with V_PP= GND

Flexible Block Locking

Low Power Management

Deep Power-Down Mode

Block Write Lockout during Power

Transitions

Automatic Power Savings Mode

Decreases I_CCin Static Mode

Enhanced Automated Suspend Options

Program Suspend to Read

Automated Program and Block Erase

Command User Interface

Status Register

Block Erase Suspend to Program

Block Erase Suspend to Read

SRAM-Compatible Write Interface

Industry-Standard Packaging

40-Lead TSOP, 44-Lead PSOP

and 40 Bump µBGA* CSP

ETOX™ V Nonvolatile Flash

Technology

Intel’s byte-wide SmartVoltage FlashFile™ memory family renders a variety of density offerings in the same

package. The 4-, 8-, and 16-Mbit byte-wide FlashFile memories provide high-density, low-cost, nonvolatile,

read/write storage solutions for a wide range of applications. Their symmetrically-blocked architecture, flexible

voltage, and extended cycling provide highly flexible components suitable for resident flash arrays, SIMMs,

and memory cards. Enhanced suspend capabilities provide an ideal solution for code or data storage

applications. For secure code storage applications, such as networking, where code is either directly

executed out of flash or downloaded to DRAM, the 4-, 8-, and 16-Mbit FlashFile memories offer three levels

of protection: absolute protection with V_PPat GND, selective hardware block locking, or flexible software

block locking. These alternatives give designers ultimate control of their code security needs.

This family of products is manufactured on Intel’s 0.4 µm ETOX™ V process technology. They come in

industry-standard packages: the 40-lead TSOP, ideal for board-constrained applications, and the rugged

44-lead PSOP. Based on the 28F008SA architecture, the byte-wide SmartVoltage FlashFile memory family

enables quick and easy upgrades for designs that demand state-of-the-art technology.

December 1997

Order Number: 290600-003

12 3 4 5 6 7...42

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