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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 200 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1-R |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 12 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| E28F020-70 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 256KX8, 80ns, PDSO32, 0.310 X 0.720 INCH, TSOP-32 |
|
| E28F020-80V05 | INTEL |
获取价格 |
Flash, 256KX8, 80ns, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
|
| E28F020-90 | INTEL |
获取价格 |
28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
|
| E28F128J3A-110 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| E28F128J3A-115 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| E28F128J3A-120 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| E28F128J3A-125 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| E28F128J3A-150 | INTEL |
获取价格 |
3 Volt Intel StrataFlash⑩ Memory |
|
| E28F128J3C-110 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| E28F128J3C-115 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
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