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DTB523YM PDF预览

DTB523YM

更新时间： 2024-02-29 17:13:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体电阻器数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
-500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors)

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DTB523YM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-75A
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.72
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：140JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：260 MHzBase Number Matches：1

DTB523YM 数据手册

 浏览型号DTB523YM的Datasheet PDF文件第2页 
DTB523YE / DTB523YM  
Transistors  
-500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors  
(with built-in resistors)  
DTB523YE / DTB523YM  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
Inverter, Interface, Driver  
DTB523YE  
0.7  
1.6  
0.3  
0.55  
zFeature  
( )  
3
1) VCE (sat) is lower than conventional products.  
2) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
(
)
( )  
1
2
0.2  
0.2  
0.15  
(1) GND  
(2) IN  
(3) OUT  
0.5 0.5  
1.0  
EMT3  
JEITA No. (SC-75A)  
JEDEC No. <SOT-416>  
Each lead has same dimensions  
3) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the  
input. They also have the advantage of almost  
completely eliminating parasitic effects.  
Abbreviated symbol : X53  
DTB523YM  
1.2  
0.32  
4) Only the on / off conditions need to be set for  
operation, making the device design easy.  
(3)  
( )( )  
1 2  
0.22  
(1) IN  
(2) GND  
(3) OUT  
0.13  
0.4 0.4  
0.5  
zStructure  
PNP epitaxial plannar silicon transistor  
(Resistor built-in type)  
0.8  
VMT3  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : X53  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zPackaging specifications  
Package  
EMT3  
Taping  
TL  
VMT3  
Taping  
T2L  
Limits  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Unit  
Packaging type  
Code  
DTB523YE DTB523YM  
V
CC  
IN  
C (max)  
V
V
−12  
−12 to +5  
−500  
Basic ordering  
unit (pieces)  
Input voltage  
V
3000  
8000  
Part No.  
∗1  
∗2  
Collector current  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
I
mA  
mW  
C
DTB523YE  
DTB523YM  
−
P
D
150  
−
Tj  
Tstg  
150  
C
−55 to +150  
∗1 Characteristics of built-in transistor.  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
zEquivalent circuit  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ. Max. Unit  
Conditions  
=−100µA  
=−20mA  
= −100mA / −5mA  
= −5V  
CC= −12V, V  
V
V
I(off)  
−
−2.5  
−
−
−
−0.3  
−
V
CC=−5V, I  
O
OUT  
R1  
Input voltage  
V
IN  
I(on)  
V
O
=−0.3V, I  
O
R2  
Output voltage  
Input current  
V
O(on)  
−60  
−
−300  
−3.0  
−0.5  
−
mV  
mA  
µA  
−
I
O
/I  
I
I
I
−
V
V
V
V
I
GND(+)  
OUT  
Output current  
DC current gain  
Transition frequency  
Input resistance  
Resistance ratio  
I
O(off)  
−
−
I
=0V  
G
I
140  
−
−
O
= −2V, I  
O
=−100mA  
IN  
∗
f
T
260  
2.2  
4.5  
−
MHz  
kΩ  
−
CE=−10V  
,
I
E
=5mA, f=100MHz  
GND(+)  
R1  
1.54  
3.6  
2.86  
5.5  
−
−
R
2/R1  
R1  
=2.2kΩ / R =10kΩ  
2
∗ Characteristics of built-in transistor.  
1/1  
12

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与DTB523YM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTB543EE ROHM

获取价格

 		-500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors)
DTB543EE3 ROHM

获取价格

 		These are the standard products of "digital transistors" which ROHM invented and marketed
DTB543EE3 (新产品) ROHM

获取价格

 		These are the standard products of "digital transistors" which ROHM invented and marketed
DTB543EM ROHM

获取价格

 		-500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors)
DTB543EMT2L ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DTB543XE ROHM

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