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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTB743EE
DTB743EE PDF预览

DTB743EE

更新时间： 2024-01-26 04:44:53
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体电阻器数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
-200mA / -30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors)

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DTB743EE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-75A
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC)：0.2 A配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：140JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：260 MHzBase Number Matches：1

DTB743EE 数据手册

 浏览型号DTB743EE的Datasheet PDF文件第2页 
DTB743EE / DTB743EM  
Transistors  
−
200mA /  
(with built-in resistors)  
−
30V Low VCE (sat) Digital transistors  
DTB743EE / DTB743EM  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
Inverter, Interface, Driver  
DTB743EE  
0.7  
1.6  
0.3  
0.55  
zFeature  
( )  
3
1) VCE (sat) is lower than the conventional products.  
2) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
(
)
( )  
1
2
0.2  
0.2  
0.15  
(1) GND  
(2) IN  
(3) OUT  
0.5 0.5  
1.0  
EMT3  
JEITA No. (SC-75A)  
JEDEC No. <SOT-416>  
3) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the  
input. They also have the advantage of almost  
completely eliminating parasitic effects.  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : M13  
DTB743EM  
4) Only the on / off conditions need to be set for  
operation, making the device design easy.  
1.2  
0.32  
(3)  
(
)( )  
2
1
0.22  
zStructure  
(1) IN  
(2) GND  
(3) OUT  
0.13  
0.4 0.4  
0.5  
PNP epitaxial plannar silicon transistor  
(Resistor built-in type)  
0.8  
VMT3  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : M13  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zPackaging specifications  
Limits  
Package  
EMT3  
Taping  
TL  
VMT3  
Taping  
T2L  
Parameter  
Symbol  
Unit  
DTB743EE DTB743EM  
Packaging type  
Code  
Supply voltage  
V
CC  
IN  
C (max)  
V
V
−30  
−20 to +10  
−200  
Input voltage  
V
Basic ordering  
unit (pieces)  
3000  
8000  
∗1  
∗2  
Collector current  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
I
mA  
mW  
C
Part No.  
P
D
150  
DTB743EE  
DTB743EM  
−
Tj  
Tstg  
150  
−
C
−55 to +150  
∗1 Characteristics of built-in transistor.  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
zEquivalent circuit  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ. Max. Unit  
Conditions  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
−
−2.5  
−
−
−
−0.5  
−
VCC= −5V, IO= −100µA  
VO=−0.3V, IO=−20mA  
IO/II=−50mA / −2.5mA  
VI= −5V  
OUT  
R
1
Input voltage  
V
IN  
R
2
Output voltage  
Input current  
−70  
−
−300  
−1.4  
−500  
−
mV  
mA  
nA  
−
GND(+)  
OUT  
−
Output current  
DC current gain  
Transition frequency  
Input resistance  
Resistance ratio  
IO(off)  
GI  
−
−
VCC=−30V, VI=0V  
VO=−2V, IO=−100mA  
IN  
115  
−
−
GND(+)  
∗
fT  
260  
4.7  
1.0  
−
MHz VCE=−10V  
,
IE=5mA, f=100MHz  
R1  
3.29  
0.8  
6.11  
1.2  
kΩ  
−
−
R2/R1  
−
R1  
=4.7kΩ / R =4.7kΩ  
2
∗ Characteristics of built-in transistor.  
1/1  
12

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