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DSI45-12A

更新时间： 2024-09-16 03:30:39
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2页 41K
描述
Rectifier Diode

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DSI45-12A 数据手册

 浏览型号DSI45-12A的Datasheet PDF文件第2页 
DSI 45  
VRRM = 800-1600 V  
IF(AV)M = 48 A  
Rectifier Diode  
TO-247 AD  
Version A  
ISOPLUS 247TM  
Version AR  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
A
C
C
A
C
A
900  
1300  
1700  
800  
1200  
1600  
DSI 45-08A  
DSI 45-12A  
DSI 45-16A DSI 45-16AR  
C (TAB)  
TAB  
A = Anode, C = Cathode  
Features  
Symbol  
IF(AV)M  
IFSM  
Conditions  
TC = 105°C; 180° sine  
Maximum Ratings  
• International standard package  
48  
A
• Planar glassivated chips  
• Version AR isolated and  
UL registered E153432  
TVJ = 45°C;  
VR = 0 V;  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
475  
520  
A
A
• Epoxy meets UL 94V-0  
TVJ = 150°C;  
VR = 0 V;  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
380  
420  
A
A
A2s  
A2s  
A2s  
A2s  
Applications  
I2t  
TVJ = 45°C;  
VR = 0 V;  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1120  
1120  
• Supplies for DC power equipment  
• DC supply for PWM inverter  
• Field supply for DC motors  
• Battery DC power supplies  
TVJ = 150°C;  
VR = 0 V;  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
720  
720  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
Advantages  
• Space and weight savings  
• Simple mounting  
• Improvedtemperatureandpowercycling  
• Reduced protection circuits  
Md *  
mounting torque  
0.8...1.2  
2500  
Nm  
V~  
VISOL **  
50/60 Hz, RMS, t = 1 minute, leads-to-tab  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
Weight  
typical  
6
g
* Verson A only; ** Version AR only  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
IR  
TVJ = TVJM; VR = VRRM  
IF = 40 A; TVJ = 25°C  
≤
≤
3
mA  
V
VF  
1.18  
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
0.8  
8
V
mΩ  
RthJC  
RthCH  
DC current  
typical  
0.55  
0.2  
K/W  
K/W  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max. Min.  
Inches  
Max.  
Data according to IEC 60747  
A
B
19.81 20.32 0.780 0.800  
20.80 21.46 0.819 0.845  
C
D*  
15.75 16.26 0.610 0.640  
3.55 3.65 0.140 0.144  
E
F
4.32 5.49 0.170 0.216  
5.4  
6.2 0.212 0.244  
G
H
1.65 2.13 0.065 0.084  
-
4.5  
-
0.177  
J
1.0  
1.4 0.040 0.055  
K
10.8 11.0 0.426 0.433  
L
M
4.7  
0.4  
5.3 0.185 0.209  
0.8 0.016 0.031  
N
2.2 2.59 0.087 0.102  
* ISOPLUS 247 TM without hole  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
1 - 2  
© 2004 IXYS All rights reserved  
12

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DSI45-12A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DSI45-16A IXYS

类似代替

 Rectifier Diode
DSI45-08A IXYS

类似代替

 Rectifier Diode
STTH3003CW STMICROELECTRONICS

功能相似

 HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER

与DSI45-12A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSI45-16 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 45A, 1600V V(RRM),
DSI45-16A IXYS

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 		Rectifier Diode
DSI45-16A LITTELFUSE

获取价格

 		分立标准二极管系列具有多种封装，击穿电压最高可达1800V。
DSI45-16AR IXYS

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 		Rectifier Diode
DSI45-16AR LITTELFUSE

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 		分立标准二极管系列具有多种封装，击穿电压最高可达1800V。
DSI70-04A LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 77A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5,
DSI70-08A LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 77A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5
DSI70-16A LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 77A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5
DSI75-02A IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon,

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