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DSI80-12F

更新时间: 2024-09-16 19:42:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 121K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 110A, 1200V V(RRM), Silicon,

DSI80-12F 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-H1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流:2100 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:180 °C最大输出电流:110 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

DSI80-12F 数据手册

  

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