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DSI75-08B PDF预览

DSI75-08B

更新时间： 2024-09-15 22:48:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
Rectifier Diode Avalanche Diode

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DSI75-08B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-5
包装说明：O-MUPM-D1针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：8.59
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.15 V
JEDEC-95代码：DO-203ABJESD-30 代码：O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：1400 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：180 °C最大输出电流：110 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSI75-08B 数据手册

 浏览型号DSI75-08B的Datasheet PDF文件第2页 
DS 75  
DSA 75  
DSI 75  
DSAI 75  
VRRM = 800-1800 V  
IF(RMS) = 160 A  
IF(AV)M = 110 A  
Rectifier Diode  
Avalanche Diode  
DO-203 AB  
VRSM  
V
V(BR)min ① VRRM  
Anode  
Cathode  
on stud  
C
A
A
C
V
V
on stud  
DS  
DSA  
DSI  
DSAI  
900  
1300  
-
-
800  
1200  
DS75-08B  
DS75-12B  
DSI75-08B  
DSI75-12B  
1300  
1700  
1900  
1300  
1760  
1950  
1200  
1600  
1800  
DSA75-12B  
DSA75-16B  
DSA75-18B  
DSAI75-12B  
DSAI75-16B  
DSAI75-18B  
① Only for Avalanche Diodes  
1/4-28UNF  
A = Anode C = Cathode  
Symbol  
Test Conditions  
TVJ = TVJM  
Tcase = 100°C; 180° sine  
Maximum Ratings  
IF(RMS)  
IF(AV)M  
160  
110  
A
A
Features  
①
International standard package,  
JEDEC DO-203 AB (DO-5)  
Planar glassivated chips  
PRSM  
IFSM  
DSA(I) types, TVJ = TVJM, tp = 10 ms  
20  
kW  
①
TVJ = 45°C;  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1400  
1500  
A
A
VR = 0  
Applications  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1250  
1310  
A
A
①
High power rectifiers  
Field supply for DC motors  
①
I2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
9800  
9450  
A2s  
A2s  
①
Power supplies  
Advantages  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
7820  
7210  
A2s  
A2s  
①
Space and weight savings  
Simple mounting  
Improved temperature and power  
cycling  
①
①
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+180  
180  
-40...+180  
°C  
°C  
°C  
①
Reduced protection circuits  
Md  
Mounting torque  
2.4-4.5  
21-40  
21  
Nm  
lb.in.  
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
Weight  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
IR  
TVJ = TVJM; VR = VRRM  
IF = 150 A; TVJ = 25°C  
£
£
6
mA  
V
VF  
1.17  
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
0.75  
2
V
mW  
RthJC  
RthJH  
DC current  
DC current  
0.5  
0.9  
K/W  
K/W  
dS  
dA  
a
Creepage distance on surface  
Strike distance through air  
Max. allowable acceleration  
4.05  
3.9  
100  
mm  
mm  
m/s2  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
744  
1 - 2  
© 2000 IXYS All rights reserved  
12

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DSI75-08B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE6011 NTE

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