是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8473.30.11.40 | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.96 | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | 10 YEAR DATA RETENTION | JESD-30 代码: | R-XDMA-P32 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00025 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
DS1245W-100+ | MAXIM |
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DS1245W-IND | DALLAS |
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DS1245WP-100 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, | |
DS1245WP-100 | ROCHESTER |
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128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 | |
DS1245WP-100+ | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 | |
DS1245WP-100-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 | |
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3.3V 1024k Nonvolatile SRAM |