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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DMA |
| 包装说明： | , MODULE,34LEAD,1.0 | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8473.30.11.40 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 5.5 | 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION | JESD-30 代码： | R-XDMA-U34 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00025 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | J INVERTED | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1245WP-150-IND | DALLAS |
获取价格 |
3.3V 1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245Y | DALLAS |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245Y | ADI |
获取价格 |
1024k非易失SRAM |
|
| DS1245Y/AB | ETC |
获取价格 |
1024K Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245Y_10 | DALLAS |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245Y-100 | ROCHESTER |
获取价格 |
128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA32, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 |
|
| DS1245Y-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1245Y-120 | DALLAS |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245Y-120-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
|
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