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DS1245Y-100

更新时间: 2024-09-24 19:42:55
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 1230K
描述
128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA32, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32

DS1245Y-100 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.69
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
JESD-30 代码:R-XDMA-T32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245认证状态:COMMERCIAL
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

DS1245Y-100 数据手册

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