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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最长访问时间： | 70 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1245Y-70IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 |
|
| DS1245Y-85 | DALLAS |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM |
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| DS1245Y-85+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS, 0.740 INCH, LEAD FREE, EXTENDED MODULE, DIP- |
|
| DS1245Y-85-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1245Y-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, |
|
| DS1245YL | DALLAS |
获取价格 |
1024K Nonvolatile SRAM |
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| DS1245YL-100 | DALLAS |
获取价格 |
1024K Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245YL-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
1024K Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245YL-120 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1245YL-120-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
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