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DS1245YP-70IND+

更新时间: 2024-11-12 19:59:03
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 1033K
描述
128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA34, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34

DS1245YP-70IND+ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DMA
包装说明:ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34针数:34
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.39
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-XDMA-C34
JESD-609代码:e3长度:25.019 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
功能数量:1端子数量:34
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:6.85 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:C BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:23.495 mmBase Number Matches:1

DS1245YP-70IND+ 数据手册

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