生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.63 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | 10 YEARS MINIMUM DATA RETENTION |
JESD-30 代码: | R-XDMA-X34 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 34 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装等效代码: | MODULE,34LEAD,1.0 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00015 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1245Y | DALLAS |
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1024k Nonvolatile SRAM | |
DS1245Y | ADI |
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1024k非易失SRAM | |
DS1245Y/AB | ETC |
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1024K Nonvolatile SRAM | |
DS1245Y_10 | DALLAS |
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1024k Nonvolatile SRAM | |
DS1245Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM | |
DS1245Y-100 | ROCHESTER |
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128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA32, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 | |
DS1245Y-100-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1245Y-120 | DALLAS |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM | |
DS1245Y-120-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
DS1245Y-120IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, 0.740 INCH, LEAD FREE, EXTENDED MODULE, DIP |