是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8473.30.11.40 | Factory Lead Time: | 13 weeks |
风险等级: | 1.75 | 最长访问时间: | 120 ns |
JESD-30 代码: | R-XDMA-T32 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.0006 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
DS1245Y-70IND+ | MAXIM |
类似代替 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1245Y-70 | DALLAS |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM | |
DS1245Y-70 | MAXIM |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM | |
DS1245Y-70+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 | |
DS1245Y-70IND | MAXIM |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM | |
DS1245Y-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
DS1245Y-70IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 | |
DS1245Y-85 | DALLAS |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM | |
DS1245Y-85+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS, 0.740 INCH, LEAD FREE, EXTENDED MODULE, DIP- | |
DS1245Y-85-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) | |
DS1245Y-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, |