5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DMP3056LDM
DMP3056LDM PDF预览

DMP3056LDM

更新时间： 2024-11-05 12:20:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 141K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

DMP3056LDM 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.45Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：13 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMP3056LDM 数据手册

 浏览型号DMP3056LDM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DMP3056LDM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DMP3056LDM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DMP3056LDM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DMP3056LDM的Datasheet PDF文件第6页 
DMP3056LDM  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
Low RDS(ON)  
:
•
•
Case: SOT-26  
•
•
45mΩ @VGS = -10V  
65mΩ @VGS = -4.5V  
Case Material – Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See page 4  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
"Green" Device (Note 4)  
•
•
•
•
SOT-26  
D
D
S
D
D
G
TOP VIEW  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Value  
-30  
Unit  
V
VDSS  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
V
±20  
Drain Current (Note 1) Continuous (VGS = -10V)  
TA = 25°C  
A = 70°C  
-5  
-4.2  
A
A
ID  
T
Pulsed Drain Current (Note 2)  
-13  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
1.25  
Unit  
W
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1); Steady-State  
Operating and Storage Temperature Range  
100  
°C/W  
°C  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on 1"x1", FR-4 PC board on 0.1in.2 pads on 2 oz. Copper pads and test pulse width t ≤10s.  
2. Repetitive Rating, pulse width limited by junction temperature.  
3. No purposefully added lead.  
4. Diodes Inc's "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 6  
www.diodes.com  
September 2010  
© Diodes Incorporated  
DMP3056LDM  
Document number: DS31449 Rev. 8 - 2  
123456

中文翻译

下载PDF

与DMP3056LDM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMP3056LDM-7 DIODES

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP3056LSD DIODES

获取价格

 		DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP3056LSD-13 DIODES

获取价格

 		DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP3056LSDQ DIODES

获取价格

 		DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP3056LSDQ-13 DIODES

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
DMP3056LSS DIODES

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP3056LSS-13 DIODES

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP3056LSSQ DIODES

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP3065LVT DIODES

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP3065LVT_15 DIODES

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

与DMP3056LDM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证