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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DMP3056LDM
DMP3056LDM PDF预览

DMP3056LDM

更新时间： 2024-02-10 00:47:05
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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6页 141K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP3056LDM 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.45Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：13 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMP3056LDM 数据手册

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DMP3056LDM  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
Low RDS(ON)  
:
•
•
Case: SOT-26  
•
•
45mΩ @VGS = -10V  
65mΩ @VGS = -4.5V  
Case Material – Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See page 4  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
"Green" Device (Note 4)  
•
•
•
•
SOT-26  
D
D
S
D
D
G
TOP VIEW  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Value  
-30  
Unit  
V
VDSS  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
V
±20  
Drain Current (Note 1) Continuous (VGS = -10V)  
TA = 25°C  
A = 70°C  
-5  
-4.2  
A
A
ID  
T
Pulsed Drain Current (Note 2)  
-13  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
1.25  
Unit  
W
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1); Steady-State  
Operating and Storage Temperature Range  
100  
°C/W  
°C  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on 1"x1", FR-4 PC board on 0.1in.2 pads on 2 oz. Copper pads and test pulse width t ≤10s.  
2. Repetitive Rating, pulse width limited by junction temperature.  
3. No purposefully added lead.  
4. Diodes Inc's "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 6  
www.diodes.com  
September 2010  
© Diodes Incorporated  
DMP3056LDM  
Document number: DS31449 Rev. 8 - 2  
123456

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