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DMP3056LDM-7

更新时间： 2024-11-05 12:20:07

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美台 - DIODES		晶体晶体管场效应晶体管
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP3056LDM-7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.59	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	13 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DMP3056LDM-7 数据手册

DMP3056LDM

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features

Mechanical Data

•

Low R_DS(ON)

•

Case: SOT-26

•

45mΩ @V_GS= -10V

65mΩ @V_GS= -4.5V

Case Material – Molded Plastic, “Green” Molding Compound.

UL Flammability Rating 94V-0

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper leadframe.

Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Terminal Connections: See Diagram

Marking Information: See Page 4

Ordering Information: See page 4

Weight: 0.008 grams (approximate)

•

Low Input/Output Leakage

Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

"Green" Device (Note 4)

•

SOT-26

TOP VIEW

Internal Schematic

Maximum Ratings @T_A= 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Drain-Source Voltage

Symbol

Value

-30

Unit

V_DSS

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current (Note 1) Continuous (V_GS= -10V)

T_A= 25°C

_A= 70°C

-5

-4.2

I_D

Pulsed Drain Current (Note 2)

-13

I_DM

Thermal Characteristics

Characteristic

Total Power Dissipation (Note 1)

Symbol

Value

1.25

Unit

P_D

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1); Steady-State

Operating and Storage Temperature Range

100

°C/W

°C

R_θ

-55 to +150

T_J, T_STG

Notes:

1. Device mounted on 1"x1", FR-4 PC board on 0.1in.²pads on 2 oz. Copper pads and test pulse width t ≤10s.

2. Repetitive Rating, pulse width limited by junction temperature.

3. No purposefully added lead.

4. Diodes Inc's "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.

1 of 6

www.diodes.com

September 2010

DMP3056LDM

Document number: DS31449 Rev. 8 - 2

12 3 4 5 6

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DMP3056LSD-13	DIODES	获取价格	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP3056LSDQ	DIODES	获取价格	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP3056LSDQ-13	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
DMP3056LSS	DIODES	获取价格	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP3056LSS-13	DIODES	获取价格	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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