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DMP3056LDM-7

更新时间： 2024-09-23 12:20:07
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美台 - DIODES 晶体晶体管场效应晶体管
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6页 141K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP3056LDM-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.59其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：13 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMP3056LDM-7 数据手册

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DMP3056LDM  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
Low RDS(ON)  
:
•
•
Case: SOT-26  
•
•
45mΩ @VGS = -10V  
65mΩ @VGS = -4.5V  
Case Material – Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See page 4  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
"Green" Device (Note 4)  
•
•
•
•
SOT-26  
D
D
S
D
D
G
TOP VIEW  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Value  
-30  
Unit  
V
VDSS  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
V
±20  
Drain Current (Note 1) Continuous (VGS = -10V)  
TA = 25°C  
A = 70°C  
-5  
-4.2  
A
A
ID  
T
Pulsed Drain Current (Note 2)  
-13  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
1.25  
Unit  
W
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1); Steady-State  
Operating and Storage Temperature Range  
100  
°C/W  
°C  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on 1"x1", FR-4 PC board on 0.1in.2 pads on 2 oz. Copper pads and test pulse width t ≤10s.  
2. Repetitive Rating, pulse width limited by junction temperature.  
3. No purposefully added lead.  
4. Diodes Inc's "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 6  
www.diodes.com  
September 2010  
© Diodes Incorporated  
DMP3056LDM  
Document number: DS31449 Rev. 8 - 2  
123456

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