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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DMP3056LSS-13
DMP3056LSS-13 PDF预览

DMP3056LSS-13

更新时间： 2024-02-09 11:43:41
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 171K
描述
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP3056LSS-13 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.59
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.1 A最大漏极电流 (ID)：7.1 A
最大漏源导通电阻：0.036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMP3056LSS-13 数据手册

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DMP3056LSS  
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
Low On-Resistance  
•
•
Case: SOP-8L  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead  
frame. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.072g (approximate)  
•
•
45mΩ @ VGS = -10V  
65mΩ @ VGS = -4.5V  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
"Green" Device (Note 4)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
•
SOP-8L  
S
D
S
S
G
D
D
D
TOP VIEW  
Internal Schematic  
TOP VIEW  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
-30  
Units  
V
V
Gate-Source Voltage  
VGSS  
±20  
Drain Current (Note 1)  
Steady  
State  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
-7.1  
-6.0  
A
A
ID  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
-20  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
2.5  
Unit  
W
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
50  
°C/W  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
°C  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on 1” x 1“ 2 oz. Copper pads on 2” x 2” FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Pulse width ≤10μS, Duty Cycle ≤1%.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 4  
www.diodes.com  
September 2008  
© Diodes Incorporated  
DMP3056LSS  
Document number: DS31419 Rev. 6 - 2  
1234

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