是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 23 weeks | 风险等级: | 5.75 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 6.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 |
JESD-609代码: | e4 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.7 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMN3032LFDB-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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DMN3032LFDBQ | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN3032LFDBQ-13 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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DMN3032LFDBQ-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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DMN3032LFDBWQ | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN3033LDM | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN3033LDM-7 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN3033LSD | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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DMN3033LSD-13 | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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DMN3033LSDQ | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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