5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 15 weeks | 风险等级： | 1.63 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMN3033LSNQ | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN3033LSNQ-7 | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| DMN3035LWN | DIODES |
获取价格 |
30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN3035LWN-13 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| DMN3035LWN-7 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| DMN3042L | DIODES |
获取价格 |
Low On-Resistance |
|
| DMN3042L_15 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN3042L-13 | DIODES |
获取价格 |
Low On-Resistance |
|
| DMN3042L-7 | DIODES |
获取价格 |
Low On-Resistance |
|
| DMN3042LFDF | DIODES |
获取价格 |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
