是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 23 weeks |
风险等级: | 5.66 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 6.2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e4 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMN3032LFDBQ-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
DMN3032LFDBWQ | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3033LDM | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3033LDM-7 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3033LSD | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
DMN3033LSD-13 | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
DMN3033LSDQ | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3033LSDQ-13 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
DMN3033LSN | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3033LSN | TYSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage |