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DMN3029LFG-13

更新时间： 2024-01-31 16:46:29
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 189K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, POWERDI3333-8, 8 PIN

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DMN3029LFG-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：5.7其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：5.3 A最大漏源导通电阻：0.0186 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN3029LFG-13 数据手册

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DMN3029LFG  
Green  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
POWERDI®  
Product Summary  
Features  
•
•
Low RDS(ON) – ensures on state losses are minimized  
ID  
V(BR)DSS  
RDS(ON)  
Small form factor thermally efficient package enables higher  
density end products  
TA = 25°C  
8.0A  
6.5A  
18.6mΩ @ VGS = 10V  
26.5mΩ @ VGS = 4.5V  
•
Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling  
smaller end product  
30V  
•
•
100% UIS (Avalanche) rated  
100% Rg tested  
•
•
•
Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Description  
This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-  
state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching  
performance, making it ideal for high efficiency power management  
applications.  
Mechanical Data  
•
•
Case: POWERDI3333-8  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL  
Flammability Classification Rating 94V-0  
Applications  
•
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram Below  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Weight: 0.072 grams (approximate)  
•
•
•
Backlighting  
DC-DC Converters  
Power management functions  
•
POWERDI3333-8  
Pin 1  
S
S
8
7
6
5
1
2
3
4
S
G
D
D
D
D
Top View  
Internal Schematic  
Top View  
Bottom View  
Ordering Information (Note 4)  
Part Number  
DMN3029LFG-7  
DMN3029LFG-13  
Case  
POWERDI3333-8  
POWERDI3333-8  
Packaging  
2000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
Notes:  
1. EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. All applicable RoHS exemptions applied.  
2. See http://www.diodes.com for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free.  
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and  
<1000ppm antimony compounds.  
4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com.  
Marking Information  
N39 = Product marking code  
YYWW = Date code marking  
YY = Last digit of year (ex: 10 for 2010)  
WW = Week code (01 – 53)  
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated.  
1 of 7  
www.diodes.com  
October 2012  
© Diodes Incorporated  
DMN3029LFG  
Document number: DS35448 Rev. 7 - 2  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMN3029LFG-7 DIODES

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
DMN3030LFG-13 DIODES

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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