5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-PBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.54 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMN26D0UDJ | DIODES |
获取价格 |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN26D0UDJ-7 | DIODES |
获取价格 |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN26D0UFB4 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| DMN26D0UFB4_12 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN26D0UFB4-7 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN26D0UFB4-7B | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN26D0UT | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN26D0UT-7 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN26DOUT-7 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN2710UDW | DIODES |
获取价格 |
Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
