Datasheet > DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

更新时间： 2024-01-21 13:10:25

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	248K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, X2-DFN0606-3, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DMN2990UFZ-7B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, S-PBCC-N3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.59	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.25 A
最大漏源导通电阻：	0.99 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5.6 pF	JESD-30 代码：	S-PBCC-N3
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DMN2990UFZ-7B 数据手册

DMN2990UFZ

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Product Summary

Features and Benefits

•

Low Package Profile, 0.42mm Maximum Package Height

0.62mm x 0.62mm Package Footprint

_Dmax

V_(BR)DSS

R_DS(ON)max

T_A= +25°C

250mA

Low On-Resistance

0.99Ω @ V_GS= 4.5V

1.2Ω @ V_GS= 2.5V

1.8Ω @ V_GS= 1.8V

2.4Ω @ V_GS= 1.5V

Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max

ESD Protected Gate

230mA

20V

180mA

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

150mA

Description

Mechanical Data

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance

(R_DS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it

ideal for high efficiency power management applications.

•

Case: X2-DFN0606-3

Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.

UL Flammability Classification Rating 94V-0

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

Terminals: Finish – NiPdAu over Copper Leadframe

Applications

•

General Purpose Interfacing Switch

Power Management Functions

Analog Switch

Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Weight: 0.001 grams (Approximate)

•

X2-DFN0606-3

ESD PROTECTED

Top View

Package Pin Configuration

Bottom View

Equivalent Circuit

Ordering Information (Note 4)

Part Number

Case

Packaging

DMN2990UFZ-7B

X2-DFN0606-3

10K/Tape & Reel

Notes:

1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.

2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green"

and Lead-free.

3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and

<1000ppm antimony compounds.

4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/products/packages.html.

Marking Information

X2-DFN0606-3

6N = Product Type Marking Code

Top View

Bar Denotes Gate

and Source Side

1 of 7

www.diodes.com

January 2015

DMN2990UFZ

Document number: DS36693 Rev. 4 - 2

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与DMN2990UFZ-7B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DMN2991UDA	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
DMN2991UDA-7B	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor,	获取价格
DMN2991UDJ	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
DMN2991UDR4	DIODES	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格
DMN2991UFA	DIODES	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格
DMN2991UFB4	DIODES	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格

与DMN2990UFZ-7B相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

15
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

15
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

13
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B 技术参数

DMN2990UFZ-7B 数据手册

与DMN2990UFZ-7B相关器件

与DMN2990UFZ-7B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B 技术参数

DMN2990UFZ-7B 数据手册

与DMN2990UFZ-7B相关器件

与DMN2990UFZ-7B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？