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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN26D0UT-7
DMN26D0UT-7 PDF预览

DMN26D0UT-7

更新时间： 2024-09-25 09:54:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 144K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN26D0UT-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：1.62Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.23 A
最大漏极电流 (ID)：0.23 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN26D0UT-7 数据手册

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DMN26D0UT  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
Low On-Resistance:  
•
•
Case: SOT-523  
•
•
•
•
3.0 Ω @ 4.5V  
4.0 Ω @ 2.5V  
6.0 Ω @ 1.8V  
10 Ω @ 1.5V  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL  
Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Finish – Matte Tin annealed over Alloy 42 leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.002 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Ultra-Small Surface Mount Package  
ESD Protected Gate  
Lead, Halogen, and Antimony Free By Design/RoHS  
Compliant (Note 2)  
•
•
•
•
•
"Green" Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Drain  
D
Gate  
S
G
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
ESD PROTECTED  
TOP VIEW  
EQUIVALENT CIRCUIT  
TOP VIEW  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Value  
20  
Unit  
V
Gate-Source Voltage  
V
±10  
230  
805  
Drain Current (Note 1)  
mA  
mA  
Pulsed Drain Current  
TP = 10µs  
IDM  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Total Power Dissipation (Note 1)  
300  
417  
mW  
°C/W  
°C  
PD  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
JA  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which  
can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 6  
www.diodes.com  
September 2009  
© Diodes Incorporated  
DMN26D0UT  
Document number: DS31854 Rev. 2 - 2  
123456

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DMN26D0UT-7 替代型号

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