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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN2300UFB-7B
DMN2300UFB-7B PDF预览

DMN2300UFB-7B

更新时间： 2024-11-20 09:54:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关
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6页 141K
描述
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN2300UFB-7B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：GREEN, PLASTIC, DFN1006-3, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：5.65
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.78 A
最大漏极电流 (ID)：1.32 A最大漏源导通电阻：0.175 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PBCC-N3
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN2300UFB-7B 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
DMN2300UFB  
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Product Summary  
Features and Benefits  
•
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•
•
•
•
Footprint of just 0.6mm2 – thirteen times smaller than SOT23  
0.5mm profile – ideal for low profile applications  
On resistance <200mΩ @ VGS = 4.5V  
Low Gate Threshold Voltage  
Fast Switching Speed  
“Lead Free”, RoHS Compliant (Note 1)  
Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 2)  
ESD Protected Gate 2KV  
ID max  
TA = 25°C  
(Note 4)  
1.30A  
V(BR)DSS  
RDS(on)  
175mΩ @ VGS= 4.5V  
240mΩ @ VGS= 2.5V  
360mΩ @ VGS= 1.8V  
20V  
1.11A  
0.91A  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Description and Applications  
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance  
(RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it  
ideal for high efficiency power management applications.  
Mechanical Data  
•
•
Case: DFN1006-3  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
•
Load switch  
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish – NiPdAu over Copper leadframe. Solderable  
per MIL-STD-202, Method 208  
•
Weight: 0.001 grams (approximate)  
Drain  
DFN1006-3  
Body  
Diode  
Gate  
S
D
G
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
ESD PROTECTED TO 2kV  
Bottom View  
Top View  
Internal Schematic  
Equivalent Circuit  
Ordering Information (Note 3)  
Part Number  
DMN2300UFB-7  
DMN2300UFB-7B  
Marking  
Reel size (inches)  
Tape width (mm)  
Quantity per reel  
NI  
NI  
7
7
8
8
3,000  
10,000  
Notes:  
1. No purposefully added lead  
2. Diodes Inc's "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com.  
3. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com.  
Marking Information  
DMN2300UFB-7  
DMN2300UFB-7B  
NI  
NI  
NI = Product Type Marking Code  
Top View  
Dot Denotes  
Drain Side  
Top View  
Bar Denotes Gate  
and Source Side  
1 of 6  
www.diodes.com  
May 2011  
© Diodes Incorporated  
DMN2300UFB  
Document number: DS35235 Rev. 1 - 2  
123456

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