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DMN2400UFB-7B

更新时间： 2024-11-20 21:18:43
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 136K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC, X1-DFN1006-3, 3 PIN

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DMN2400UFB-7B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC, X1-DFN1006-3, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.75 A
最大漏极电流 (ID)：0.75 A最大漏源导通电阻：0.55 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PBCC-N3
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.47 W
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN2400UFB-7B 数据手册

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DMN2400UFB  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Product Summary  
Features and Benefits  
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•
Low On-Resistance  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Ultra-Small Surface Mount Package  
ESD Protected up to 1.5kV  
Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1)  
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 2)  
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability  
I
D max  
V(BR)DSS  
RDS(ON) max  
TA = 25°C  
0.75A  
0.55Ω @ VGS = 4.5V  
0.75Ω @ VGS = 2.5V  
20V  
0.63A  
Description and Applications  
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance  
(RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it  
ideal for high efficiency power management applications.  
Mechanical Data  
•
•
Case: X1-DFN1006-3  
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL  
Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections Indicator: Collector Dot  
•
•
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•
Battery Charging  
Power Management Functions  
DC-DC Converters  
•
•
•
Portable Power Adaptors  
Terminals: Finish ⎯ NiPdAu over Copper leadframe. Solderable  
per MIL-STD-202, Method 208  
•
Weight: 0.001 grams (approximate)  
Drain  
X1-DFN1006-3  
Gate  
S
D
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
G
Top View  
Package Pin Configuration  
Equivalent Circuit  
Bottom View  
ESD PROTECTED TO 1.5kV  
Ordering Information (Note 3)  
Part Number  
DMN2400UFB-7  
DMN2400UFB-7B  
Case  
X1-DFN1006-3  
X1-DFN1006-3  
Packaging  
3,000/Tape & Reel  
10,000/Tape & Reel  
Notes:  
1. EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. No purposely added lead. Halogen and Antimony free  
2. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com.  
3. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com.  
Marking Information  
NB = Product Type Marking Code  
Dot Denotes Drain Side  
NB  
1 of 6  
www.diodes.com  
April 2012  
© Diodes Incorporated  
DMN2400UFB  
Document number: DS31963 Rev. 3 - 2  
123456

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