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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 15 weeks | 风险等级： | 1.59 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 369464 | Samacsys Pin Count： | 6 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | SO Transistor Flat Lead |
| Samacsys Footprint Name： | sot-563 | Samacsys Released Date： | 2020-03-06 17:05:08 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.33 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.33 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.53 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMN2450UFB4 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2450UFB4-7B | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2450UFB4-7R | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2450UFB4Q | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2450UFD | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2451UFB4 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2451UFB4Q | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2451UFDQ | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN24H11DS | DIODES |
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Low Gate Threshold Voltage |
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| DMN24H11DS_15 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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