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DMN2400UFB-7 PDF预览

DMN2400UFB-7

更新时间： 2024-11-24 20:09:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 358K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC, X1-DFN1006-3, 3 PIN

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DMN2400UFB-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：CHIP CARRIER, R-PBCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：1.6
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.75 A最大漏极电流 (ID)：0.75 A
最大漏源导通电阻：0.55 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PBCC-N3JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.47 W参考标准：AEC-Q101
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN2400UFB-7 数据手册

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DMN2400UFB  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Product Summary  
Features and Benefits  
Low On-Resistance  
ID max  
TA = +25°C  
V(BR)DSS  
RDS(ON) max  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
0.75A  
0.63A  
0.55Ω @ VGS = 4.5V  
0.75Ω @ VGS = 2.5V  
Fast Switching Speed  
20V  
Low Input/Output Leakage  
Ultra-Small Surface Mount Package  
ESD Protected up to 1.5kV  
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Mechanical Data  
Description and Applications  
Case: X1-DFN1006-3  
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance  
(RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it  
ideal for high-efficiency power-management applications.  
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound;  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections Indicator: Collector Dot  
Terminals: Finish NiPdAu over Copper Leadframe; Solderable  
Battery Charging  
Power Management Functions  
DC-DC Converters  
e4  
per MIL-STD-202, Method 208  
Portable Power Adaptors  
Weight: 0.001 grams (Approximate)  
Drain  
X1-DFN1006-3  
S
Gate  
D
G
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
ESD PROTECTED TO 1.5kV  
Top View  
Package Pin Configuration  
Bottom View  
Equivalent Circuit  
Ordering Information (Note 4)  
Part Number  
DMN2400UFB-7  
DMN2400UFB-7B  
Case  
X1-DFN1006-3  
X1-DFN1006-3  
Packaging  
3,000/Tape & Reel  
10,000/Tape & Reel  
Notes:  
1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.  
2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green"  
and Lead-free.  
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and  
<1000ppm antimony compounds.  
4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/products/packages.html.  
1 of 7  
www.diodes.com  
May 2015  
© Diodes Incorporated  
DMN2400UFB  
Document number: DS31963 Rev. 6 - 2  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMN2400UFB-7B DIODES

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