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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 19 weeks |
| 风险等级： | 1.68 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.65 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMN2230U | TYSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance |
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| DMN2230U | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| DMN2230U-7 | TYSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance |
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| DMN2230U-7 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| DMN2250UFB | DIODES |
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Low On-Resistance |
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| DMN2250UFB_15 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2250UFB-7B | DIODES |
获取价格 |
Low On-Resistance |
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| DMN22M5UCA10 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN22M5UFG | DIODES |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2300U | TYSEMI |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 ESD Protected Gate 2kV |
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