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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMN2009UCA4 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2009UFDF | DIODES |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2009USS | DIODES |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN2009USS-13 | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| DMN2011UFDE | DIODES |
获取价格 |
Low Gate Threshold Voltage |
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| DMN2011UFDE_15 | DIODES |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2011UFDE-13 | DIODES |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN2011UFDE-7 | DIODES |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN2011UFDF | DIODES |
获取价格 |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN2011UFX | DIODES |
获取价格 |
N-Channel Mosfet |
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