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DMC90401

更新时间： 2024-11-25 21:11:51

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	449K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F3-B, 6 PIN

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DMC90401 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	210
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

DMC90401 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DMC90401

Silicon NPN epitaxial planar type

For general ampliﬁcation

DMC50401 in SSMini6 type package

ꢀPackage

 Features

ꢀCode

 High forward current transfer ratio h_FEwith excellent linearity

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

SSMini6-F3-B

Package dimension clicks here.→

Click!

ꢀPin Name

ꢀBasic Part Number

1: Emitter (Tr1)

2: Base (Tr1)

4: Emitter (Tr2)

5: Base (Tr2)

6: Collector (Tr1)

Double DSC2001 (Individual)

3: Collector (Tr2)

 Packaging

ꢀMarking Symbol: A8

ꢀInternal Connection

DMC904010R Embossed type (Thermo-compression sealing): 8000 pcs / reel (standard)

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

(C1) (B2) (E2)

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Tr1

Tr2

100

°C

(E1) (B1) (C2)

Peak collector current

I_CP

200

Total power dissipation

P_T

125

Junction temperature

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

V_CBOI_C= 10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= 2 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= 10 µA, I_C= 0

I_CBO

I_CEO

h_FE

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_CE= 10 V, I_C= 2 mA

0.1

100

460

0.3

µA



210

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

0.13

150

f_T

V_CE= 10 V, I_C= 2 mA

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

1.5

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: January 2012

Ver. DED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DMC904010R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
DMC904E2	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.015A I(C), 2-Element, Very High Frequency Band, Sili
DMC904E20R	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.015A I(C), 2-Element, Very High Frequency Band, Sili
DMC904F0	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.015A I(C), 2-Element, Very High Frequency Band, Sili
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