5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XUUC-N12 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-XUUC-N12 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 12 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMCB1CHP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP |
|
| DMCB1CHP-1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| DMCB2CHP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP |
|
| DMCD1CHP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP |
|
| DMCT1006-001 | PRODUCTWELL |
获取价格 |
NORMAL MODE CHOKE |
|
| DMCV0,5/2-G1-2,54P20THRR32 | PHOENIX |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
|
| DMCV0,5/4-G1-2,54P20THRR32 | PHOENIX |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
|
| DMCV0,5/5-G1-2,54P20THRR44 | PHOENIX |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, |
|
| DMCV1,5/13-G1-3,5P20THR | PHOENIX |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| DMCV1,5/18-G1F-3,5-LRP20THR | PHOENIX |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
