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DMC904F10R

更新时间： 2024-11-25 19:55:47

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	635K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, HALOGEN FREE, SSMINI6-F3-B, 6 PIN

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DMC904F10R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	25	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.125 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	800 MHz
Base Number Matches：	1

DMC904F10R 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DMC904F1

Silicon NPN epitaxial planar type

For high frequency ampliﬁcation

 Features

ꢀPackage

 High forward current transfer ratio h_FEwith excellent linearity

ꢀCode

 High transition frequency f_T

SSMini6-F3-B

Package dimension clicks here.→

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

Click!

ꢀPin Name

ꢀBasic Part Number

1: Emitter (Tr1)

2: Base (Tr1)

4: Emitter (Tr2)

5: Base (Tr2)

6: Collector (Tr1)

DSC2G03 + DSC2001 (Individual)

3: Collector (Tr2)

 Packaging

DMC904F10R Embossed type (Thermo-compression sealing): 8000 pcs / reel (standard)

ꢀMarking Symbol: D4

ꢀInternal Connection

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

(C1) (B2) (E2)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Tr1

Tr2

Tr1

(E1) (B1) (C2)

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Tr2 Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

100

°C

Peak collector current

I_CP

200

Total power dissipation

P_T

125

Overall Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

stg

–55 to +150

Publication date: January 2012

Ver. BED

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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