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DIM2400ESS12-A000

更新时间: 2024-02-11 06:40:58
品牌 Logo 应用领域
DYNEX 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 814K
描述
Single Switch IGBT Module

DIM2400ESS12-A000 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9
针数:9Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):2400 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-PUFM-X9
元件数量:3端子数量:9
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1800 ns标称接通时间 (ton):650 ns
Base Number Matches:1

DIM2400ESS12-A000 数据手册

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DIM2400ESS12-A000  
SEMICONDUCTOR  
Fig.7 Diode typical forward characteristics  
Fig.8 Reverse bias safe operating area  
Fig.9 Diode reverse bias safe operating area  
Fig.10 Transient thermal impedance  
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures  
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