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DIM2400ESS12-A000

更新时间： 2024-01-12 11:50:10

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DYNEX		开关双极性晶体管
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Single Switch IGBT Module

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DIM2400ESS12-A000 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9
针数：	9	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2400 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	COMPLEX	JESD-30 代码：	R-PUFM-X9
元件数量：	3	端子数量：	9
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1800 ns	标称接通时间 (ton)：	650 ns
Base Number Matches：	1

DIM2400ESS12-A000 数据手册

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DIM2400ESS12-A000

Single Switch IGBT Module

DS5840-1.1 June 2005 (LN24075)

KEY PARAMETERS

FEATURES

V_CES

V_{CE (sat)}

I_C

1200V

2.2V

2400A

4800A

(typ)

(max)

•

10µs Short Circuit Withstand

Non Punch Through Silicon

Isolated Copper Base plate

Lead Free construction

I_C(PK)

^*(measured at the power busbars and not the auxiliary terminals)

APPLICATIONS

•

High Power Inverters

Motor Controllers

The Powerline range of high power modules

includes half bridge, chopper, dual, single and bi-

directional switch configurations covering voltages

from 600V to 3300V and currents up to 3600A.

The DIM2400ESS12-A000 is a single switch 1200V,

n channel enhancement mode, insulated gate

bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a

wide reverse bias safe operating area (RBSOA) plus

full 10µs short circuit withstand.

Fig. 1 Single switch circuit diagram

The module incorporates an electrically isolated

base plate and low inductance construction enabling

circuit designers to optimise circuit layouts and

utilise grounded heat sinks for safety.

ORDERING INFORMATION

Order As:

DIM2400ESS12-A000

Note: When ordering, please use the whole part number.

Outline type code: E

(See package details for further information)

Fig. 2 Package

Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.

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