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DIM2400ESS12-A000

更新时间： 2024-01-05 08:07:41

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DYNEX		开关双极性晶体管
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Single Switch IGBT Module

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DIM2400ESS12-A000 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9
针数：	9	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2400 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	COMPLEX	JESD-30 代码：	R-PUFM-X9
元件数量：	3	端子数量：	9
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1800 ns	标称接通时间 (ton)：	650 ns
Base Number Matches：	1

DIM2400ESS12-A000 数据手册

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DIM2400ESS12-A000

SEMICONDUCTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Stresses above those listed under ‘Absolute Maximum Ratings’ may cause permanent damage to the device. In

extreme conditions, as with all semiconductors, this may include potentially hazardous rupture of the package.

Appropriate safety precautions should always be followed. Exposure to Absolute Maximum Ratings may affect

device reliability.

Tcase = 25° C unless stated otherwise

Symbol

Parameter

Test Conditions

Max.

Units

V_CES

V_GES

I_C

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

V_GE= 0V

1200

±20

Continuous collector current

Peak collector current

T_case= 85° C

2400

4800

20830

900

I_C(PK)

P_max

I²t

1ms, T_case=115° C

Max. transistor power dissipation

Diode I²t value (IGBT arm)

Isolation voltage – per module

T_case= 25° C, T = 150° C

kA²S

V_R= 0, t_P= 10ms, T_vj= 125° C

V_isol

Commoned terminals to base plate. AC RMS, 1 min, 50Hz

2500

Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures

2/9

www.dynexsemi.com

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