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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DHG20C600QB
DHG20C600QB PDF预览

DHG20C600QB

更新时间： 2024-11-05 12:27:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管快恢复二极管局域网软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Common Cathode

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DHG20C600QB 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-3P包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：4.26Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DHG20C600QB 数据手册

 浏览型号DHG20C600QB的Datasheet PDF文件第2页 
DHG 20 C 600QB  
advanced  
VRRM = 600 V  
Sonic-FRD  
2x 10 A  
35 ns  
IFAV  
trr  
=
=
High Performance Fast Recovery Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Common Cathode  
1
2
3
(Marking on product)  
Part number  
DHG 20 C 600QB  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Planar passivated chips  
● Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
● Antisaturation diode  
● Snubber diode  
● Free wheeling diode  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Uninterruptible power supplies (UPS)  
TO-3P  
● Very low leakage current  
● Very short recovery time  
● Improved thermal behaviour  
● Very low Irm-values  
● Very soft recovery behaviour  
● Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
● Industry standard outline  
- compatible with TO-247  
● Epoxy meets UL 94V-0  
● RoHS compliant  
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
● Low Irm reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
R a t i n g s  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
Conditions  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
max. repetitive reverse voltage  
=
=
25 °C  
25 °C  
600  
V
TVJ  
reverse current  
V = 600  
15  
1.5  
V
V
TVJ  
TVJ  
TVJ  
µA  
R
V = 600  
= 125 °C  
25 °C  
mA  
R
forward voltage  
IF  
IF  
=
=
10 A  
=
2.35  
V
V
VF  
20 A  
IF  
IF  
=
=
10 A  
20 A  
TVJ = 125 °C  
2.20  
10  
V
V
average forward current  
threshold voltage  
IFAV  
rectangular, d = 0.5  
TC = 100 °C  
TVJ = 150 °C  
A
V
VF0  
rF  
1.20  
93  
for power loss calculation only  
slope resistance  
m
Ω
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
RthJC  
TVJ  
1.80  
150  
70  
K/W  
°C  
W
-55  
Ptot  
=
=
=
25 °C  
45 °C  
25 °C  
TC  
max. forward surge current  
max. reverse recovery current  
IFSM  
IRM  
tp = 10 ms (50 Hz), sine  
TVJ  
100  
A
4
A
A
TVJ  
TVJ  
IF = 10 A;  
= 125 °C  
25 °C  
= 125 °C  
-diF /dt = 200 A/µs  
VR = 400 V  
t rr  
reverse recovery time  
=
35  
ns  
ns  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
junction capacitance  
CJ  
VR = 300 V;  
=
=
°C  
pF  
mJ  
A
f = 1 MHz  
A; L = 100 µH  
V = 1.5·V typ.;  
25  
non-repetitive avalanche energy  
repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
IAS  
=
TVJ  
25 °C  
tbd  
tbd  
f = 10 kHz  
A
R
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
* Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
© 2006 IXYS all rights reserved  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DHG20I1200HA LITTELFUSE

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DHG20I600HA IXYS

获取价格

 		High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Single Diode
DHG20I600HA LITTELFUSE

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