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DHG40C600PB

更新时间： 2024-11-05 21:19:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 151K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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DHG40C600PB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.6其他特性：FREEWHEELING, SNUBBER DIODE
应用：FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.17 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：155 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.035 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DHG40C600PB 数据手册

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DHG 40 C 600 PB  
preliminary  
VRRM  
IFAV = 2x  
trr  
=
600 V  
Sonic Fast Recovery Diode  
A
20  
High Performance Fast Recovery Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Common Cathode  
=
40 ns  
Part number  
1
2
3
DHG 40 C 600 PB  
Backside: cathode  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Planar passivated chips  
● Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
● Antisaturation diode  
● Snubber diode  
● Free wheeling diode  
● Housing: TO-220  
● Very low leakage current  
● Very short recovery time  
● Improved thermal behaviour  
● Very low Irm-values  
●rIndustry standard outline  
●rEpoxy meets UL 94V-0  
●rRoHS compliant  
● Very soft recovery behaviour  
● Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Uninterruptible power supplies (UPS)  
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
● Low Irm reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
R a t i n g s  
Conditions  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
min. typ. max. Unit  
TVJ  
600  
25  
V
max. repetitive reverse voltage  
reverse current  
=
=
25°C  
25°C  
µA  
VR = 600V  
VR = 600V  
TVJ  
TVJ = 125°C  
TVJ 25°C  
1.5 mA  
forward voltage  
VF  
IF  
IF  
IF  
IF  
=
=
=
=
20A  
40A  
20A  
40A  
=
2.25  
V
V
V
V
A
V
3.17  
2.20  
3.23  
20  
T
VJ = 125°C  
IFAV  
VF0  
rF  
TC  
= 95°C  
average forward current  
threshold voltage  
rectangular  
d = 0.5  
TVJ = 150°C  
1.12  
for power loss calculation only  
slope resistance  
49 mΩ  
RthJC  
TVJ  
Ptot  
IFSM  
IRM  
0.90 K/W  
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
-55  
150  
140  
150  
°C  
W
A
TC  
=
=
25°C  
45°C  
max. forward surge current  
max. reverse recovery current  
TVJ  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
8
12  
40  
60  
13  
A
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
A
IF = 20 A; VR = 300V  
-diF/dt = 450 A/µs  
reverse recovery time  
junction capacitance  
trr  
ns  
ns  
pF  
CJ  
VR = 400 V; f = 1 MHz  
TVJ = 25°C  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
20110715a  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
2011 IXYS all rights reserved  
©
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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